據(jù)國外媒體報(bào)道，近宣布將在"弱項(xiàng)"系統(tǒng)芯片領(lǐng)域投入3億美元的韓國三星電子并沒有在自己的"老本行"上有任何松懈。據(jù)公司高層透露，三星電子正在悄然研發(fā)32G和64G容量的NAND閃存產(chǎn)品，并采用對手東芝公司的多層單元技術(shù)。

       在日前舉行的一次會議上，三星半導(dǎo)體公司負(fù)責(zé)技術(shù)市場推廣的副總裁Jon Kang透露："我們已經(jīng)設(shè)置了（研發(fā)）32G和64G閃存產(chǎn)品的團(tuán)隊(duì)。"

       三星電子目前容量的NAND閃存產(chǎn)品是16G的，基于單層單元技術(shù)（Single Level Cell），使用55納米工藝生產(chǎn)。

       除了容量之外，在閃存技術(shù)上，三星電子也開始采用競爭對手日本東芝公司所使用的多層單元技術(shù)（Multi level Cell）。這種技術(shù)生產(chǎn)的閃存產(chǎn)品要比單層單元技術(shù)的便宜三成左右。據(jù)美國媒體報(bào)道，三星電子已經(jīng)擁有一條多層單元生產(chǎn)線，可以生產(chǎn)容量8G的閃存產(chǎn)品，制造工藝為60納米。

       Jon Kang表示，三星電子估計(jì)今年全球NAND閃存市場將以20％到30％的速度增長，他甚至矢言："閃存現(xiàn)在是三星的技術(shù)驅(qū)動(dòng)力。"

       除了NAND閃存"原料"生產(chǎn)之外，三星電子也在積極探求下游產(chǎn)品的研發(fā)。今年3月份，三星電子發(fā)布了一款容量為32G的固態(tài)硬盤，完全使用其NAND閃存。這種存儲設(shè)備比傳統(tǒng)硬盤具有更小的體積和更快的存取速度，業(yè)界普遍認(rèn)為未來固態(tài)硬盤將取代現(xiàn)有的磁盤。

       另據(jù)韓國媒體本周報(bào)道，三星電子將在本月底召開的微軟硬件工程師2006大會上，展示一款成熟的混合硬盤。混合硬盤結(jié)合了閃存和磁盤，可以加快數(shù)據(jù)存取和系統(tǒng)啟動(dòng)時(shí)間。明年上市的Windows

       Vista操作系統(tǒng)將支持這款三星和微軟共同研發(fā)的混合硬盤。