對于高科技企業而言，技術是核心競爭力，快速提高自身的技術能力、擴大技術積累，是每個高科技企業的發展目標之一，foundry也不例外。所有的企業都在尋求一切可行的方法達成此目標。除了自主研發之外，企業多會尋求對外合作，合作能比較快速地獲得收益，而且合作方都能受益。
        自主創新與對外合作是相輔相成的。良好的對外合作伙伴和合作項目，可以推動企業自主創新能力的提升；而企業的自主創新能力越強，就越能找到強大的合作伙伴。
        中芯國際一直在尋求雙贏/多贏的合作機會。例如，我們和Saifun半導體合作，在SMIC獲得NAND flash技術的同時，Saifun半導體也得以與中國市場更加緊密地接觸。中芯國際還長期與國際半導體大廠合作，例如東芝、富士通、特許半導體、IMEC(歐洲半導體研發中心)、Elpida、英飛凌、Freescale等國際大廠都是中芯國際的技術合作伙伴，合作的技術范圍自0.21微米至90納米的各項半導體工藝和技術。另外，在半導體產業內，供應商與制造商的緊密合作與互動直接推動半導體工藝、設備和材料水平的進步。因此，供應商們是中芯國際另一方面的長期合作伙伴，雙方長期在一起工作，合作將設備、材料盡快應用到新的工藝和產品上。制造商作為產業的中間環節就將上游的設備材料供應商和下游的設計公司甚至終電子產品供應商連接起來了。
        資金、研發團隊、現有技術能力、合作伙伴等因素都會影響企業的自主創新能力，這些因素是全世界的科技企業都面臨的問題。要成為國際級的企業，在上述各方面都要與國際級的公司在同一個水平上。
        中芯國際是國際化的團隊創立的國際性企業，從成立第起，中芯國際就將眼光放在全球的范圍內。因此，中芯國際搭建的生產、研發平臺與國際同業是一樣的，設備、工具是一樣的，人才團隊是類似的，從而為中芯國際爭取到了與國際同業在產業發展中相同的機會。因此，我們與國際同業一樣，在研發90納米、65納米的技術，甚至在為45納米做早期的研究。
        中芯國際重點是CMOS邏輯平臺工藝和存儲器平臺工藝。在這些平臺工藝上，我們可以加上不同的模塊來擴展其應用以滿足不同市場的需求。所以，不管是RF、嵌入式存儲器技術還是其他，都在我們的平臺工藝之上進行研發。因此，在一個時間點上，我們著手進行研發的平臺工藝的種類是單純的，這樣可以充分利用現有的資源推動研發工作并使其應用化。這樣的模式也是國際半導體企業都采用的模式，區別就在于各個企業判斷核心基礎工藝的能力、有效配置資源的能力、執行能力等等。
        自主研發與對外合作是達成創新的兩個手段，缺一不可、相輔相成。特別是在全球化的今天，這兩個力量一直在推動科技界和工業界的技術進步。