日本產(chǎn)業(yè)綜合研究所的科學(xué)家發(fā)現(xiàn)，在偶然進(jìn)入發(fā)射原子的真空容器里的材料上可制成理想的單結(jié)晶膜結(jié)構(gòu)絕緣層，其中含有鐵成份。經(jīng)與半導(dǎo)體廠家佳能ANERUBA公司合作，粒子的性能提高了5倍，并可用現(xiàn)有設(shè)備制作，從而為實(shí)現(xiàn)下一代MRAM的大容量化開辟了道路。

       研究人員是在長15米的空氣密度僅為空氣10萬億分之一的超高真空密閉容器中，進(jìn)行以鐵為材料的單晶膜試驗的。該項試驗的成功，將使下一代MRAM存儲器實(shí)現(xiàn)無限制高速讀寫式的存儲記憶，成為當(dāng)前的DRAM的換代產(chǎn)品。

       據(jù)悉，目前的主要課題是夾在磁性材料之間的心臟部分——絕緣層的制作，以往的努力均未解決絕緣層與磁性材料之間的單結(jié)晶疊層課題。日立制作所和東北大學(xué)的研究人員經(jīng)過摸索，發(fā)現(xiàn)可通過提高鐵的混合比獲得特性，從而為鐵作為半導(dǎo)體材料打開大門。研究還發(fā)現(xiàn)，只要將鐵的純度提高至99.9999%便可使鐵硅合金在不排出氟等有害物質(zhì)的情況下制作半導(dǎo)體。東北大學(xué)的安彥兼次教授認(rèn)為目前人們對鐵的特性認(rèn)識還很不足，其實(shí)99.9999%的純鐵既不生銹也不會溶于酸。除此之外，安彥教授正與三菱重工、東京電力等企業(yè)進(jìn)行火力發(fā)電廠的汽輪機(jī)耐腐蝕研究，純鐵不生銹的謎揭開之后，該項技術(shù)10年后有望投入實(shí)用。