純閃存解決方案供應商Spansion公司日前決定擴充與臺積電簽署的代工制造協議，增加采用300mm晶圓的Spansion 90nm MirrorBit技術。雙方達成一致，在現有服務協議基礎上，即為Spansion公司的110nm MirrorBit技術提供代工生產，增加了90nm MirrorBit的生產能力。

       為了幫助Spansion公司滿足用戶對其MirrorBit技術不斷增長的需求，臺積電從2006年第二季度開始生產采用110nm MirrorBit技術的Spansion閃存晶圓。90nm MirrorBit技術的目標量產時間為2007年下半年。

       根據擴充后的協議，臺積電將逐步把Spansion的90nm制程技術引入其專門為Spansion產品開設的生產線。新的產能將有效地增強Spansion公司的內部產能，包括：

·Spansion公司位于得克薩斯州奧斯丁的旗艦工廠Fab 25的90nm MirrorBit產能將于2007年過渡到65nm MirrorBit技術；
·位于日本會津若松的Spansion JV3生產基地的110nm MirrorBit產能；
·預計將于2008年中期，在日本會津若松新落成的SP1生產基地投產采用了300mm晶圓的45nm MirrorBit產能。該基地還可以根據市場的需求在2007年開始量產65nm MirrorBit技術產品。

       “市場對我們的MirrorBit產品的需求非常強勁，”Spansion公司首席運營官Jim Doran表示，“通過擴充與代工廠的協議，我們可以提高業務的靈活性，根據需求的波動調節產能。這樣我們可以在為客戶保持穩定供應的同時，確保的運營效率。”

關于MirrorBit技術

       Spansion MirrorBit閃存能夠利用一個基于氮化物的存儲器件，在一個單元中存儲兩個獨立的電荷。與浮動門NOR技術相比，MirrorBit技術可以提供一個更加簡便的內存單元，其所需要的關鍵制造步驟也少得多。與傳統的浮動門技術相比，MirrorBit技術可以提供更高的產量，并可以更加方便地擴展到更高的容量。Spansion為代碼和數據存儲解決方案提供了MirrorBit NOR和MirrorBit ORNAND解決方案。

       Spansion還通過在MirrorBit技術中集成邏輯塊，提供了具有附加值的閃存解決方案，例如HD-SIM解決方案。這種解決方案能夠為管理移動內容的分發、應用的安全傳輸和加強數字版權管理（DRM）提供新的手段。