南韓大廠三星電子（Samsung Electronics）邁向晶圓代工先進制程傳出捷報，日前宣布65奈米低電壓制程已經通過12寸晶圓廠認證，并已作好準備，僅待客戶投單，三星力追臺灣晶圓雙雄技術優勢，期盼以先進制程吸引客戶青睞。另一方面，據CNN Magazine報導指出，英特爾（Intel）、美光（Micron）合資成立的快閃記憶體（Flash）公司IM Flash Technologies，已經將50奈米制程技術打造的NAND型Flash晶片送樣，未來將進一步威脅在NAND型Flash市場的三星與日廠東芝（Toshiba）。
       三星半導體晶圓代工事業技術副總裁Ana Molnar Hunter表示，該公司先進的制程技術，不但能夠保持低耗電以及高產出的量產效率優勢，同時為客戶整合更多功能。
       三星表示，位在南韓器興（Giheung）的S1產線到2007年以前將持續擴產，而目前該產線足以為客戶提供高產出的晶圓代工業務；此外，針對三星與IBM、特許半導體（Chartered Semiconductor）之間的“跨晶圓代工”（Cross-Foundry）伙伴關系，三星亦表示，其65奈米程技術可與DRC、LVS連結，其DFM亦與IBM、特許成立的共同平臺（Common Platform）相容，可讓客戶擁有多方晶圓代工來源。
       身為亞洲重量級科技大廠，三星對于晶圓代工市場興趣濃厚，曾宣布擬于2012年前斥資330億美元，打造全球規模半導體制造聚落，并且在2005年底獲得手機晶片大廠高通（Qualcomm）代工訂單，三星擬以90奈米制程為高通打造晶片。
       負責晶圓代工業務的系統LSI（Large-Scale Integration）事業近來擴產積極，近2年該事業的資本支出均接近1兆韓元，并在2006年5月宣布斥資2,909億韓元提升產能。
       目前晶圓代工大廠如臺積電（2330）、聯電（2303）已在2006年相繼導入先進65奈米制程，如今三星亦宣布65奈米制程到位，明顯看出三星不愿落后的企圖心，期盼在技術上力追晶圓雙雄。
       另外，在記憶體廠NAND型Flash制程競賽方面，IM Flash近日傳出已將50奈米制程的NAND型Flash晶片送樣，這是IM Flash在2005年11月成立以來重要的發展，這款新的NAND型Flash每顆容量為4Gb，預計在2007年即可量產出貨，預料將會對三星與東芝造成威脅。由于前幾天三星才剛宣布，將以60奈米制程量產8Gb NAND型Flash，IM Flash積極搶進50奈米制程NAND型Flash的動作無疑具有震撼意義。
       美光記憶體副總裁Brian Shirley表示，該公司自2004年開始進入NAND型Flash市場，一直采用的是90奈米制程來打造NAND型Flash，如今透過與英特爾的合作，現在能夠業界推出技術的產品。目前英特爾是全球第二大的NOR型Flash制造商，但沒有NAND型Flash領域的發展經驗，透過與全球第五大NAND型Flash廠美光的合作，英特爾雖然是NAND型Flash領域的后進者，但態度頗為積極。