對于力晶（5346）進入NAND型快閃記憶體（Flash）市場，業界多認為其重要策略伙伴瑞薩（Renesas）一旦退出NAND型Flash市場，力晶將喪失其技術支援，未來難與競爭對手抗衡，但力晶10日提出反駁指出，至2007年第三季力晶將有自有制造技術的產品問市，時間點恰好銜接上日前來自瑞薩授權4Gb技術。
      　力晶董事長黃崇仁曾對外表示，力晶將成為1家全方位記憶體大廠，當時便有多業者認為，力晶僅是1家能夠制造銷售DRAM的廠商，至于被視為未來相當重要的記憶體商品NAND型Flash，這部份力晶僅替瑞薩代工，要談得上全方位記憶體供應大廠，似乎還有段距離。
      　不過，目前力晶除了是1家可替瑞薩代工的記憶體大廠外，現在已是可采用自家制造技術生產NAND型Flash的全方位記憶體供應商，希望藉由這樣的舉動，打破未來一旦瑞薩退出NAND型Flash市場后，力晶將陷入未來無制造技術來源窘境的迷思。
      　力晶指出，目前已有1組團隊正積極研發更高容量的NAND型Flash產品，也就是除先前已與瑞薩簽下可采0.13微米制程技術生產1Gb AG-AND型Flash及采90奈米制程技術生產4Gb AG-AND型Flash外，力晶也將會有完全自有IP及制造技術的NAND型Flash商品問市，估計正式導入量產的時間點將會落在2007年第三季左右，擺脫過去僅是單靠瑞薩制造技術生產NAND型Flash束縛。
      　雖說目前國際NAND型Flash？大廠均已將容量提高至16Gb，甚至到達32Gb，相較之下，力晶雖到2007年第三季才正式將8Gb產品導入量產，不過，這未必是件壞事，原因在于大廠們均將焦點放在高容量NAND型Flash市場，如此一來，對于較低容量市場便無法全力投入。
      　事實上，低容量市場并非沒有商機可言，像是8Gb的NAND型Flash產品便可制造出1GB的記憶卡，對于一些入門級的基本運用已相當足夠，不一定需要擠進高容量市場。