臺(tái)灣動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DRAM)制造大廠力晶半導(dǎo)體周三表示，看好下半年DRAM與快閃記憶體(flash)的市場(chǎng)需求，會(huì)持續(xù)以擴(kuò)張產(chǎn)能、提升制程的積極策略，搶攻市場(chǎng)占有率。
      力晶副總經(jīng)理譚仲民并指出，單月?tīng)I(yíng)收已經(jīng)連續(xù)三個(gè)月破歷史新高紀(jì)錄，下半年在12寸晶圓廠產(chǎn)能持續(xù)開(kāi)出，以及90奈米制程良率提升等雙重因素提振下，營(yíng)運(yùn)將持續(xù)走揚(yáng)。
      他認(rèn)為，下半年個(gè)人電腦市場(chǎng)可望因微處理器(CPU)降價(jià)刺激旺季需求，再加上微軟新版作業(yè)系統(tǒng)Vista與新款電玩等新產(chǎn)品的上市效應(yīng)，可能會(huì)對(duì)DRAM、flash等記憶體產(chǎn)品市場(chǎng)帶來(lái)正面推升的作用。
      力晶日前甫公布6月?tīng)I(yíng)收達(dá)64.22億臺(tái)幣，累計(jì)第二季營(yíng)收達(dá)到187.88億，較季的147.79億成長(zhǎng)27.13%。
      該股今日收低1.63%至21.15臺(tái)幣，大盤(pán)加權(quán)股價(jià)指數(shù)則收低1.11%至6,659.96點(diǎn)。