茂德董事長陳民良昨（5）日表示，茂德70奈米裂程9月導入試產，明年第二季量產；中科四廠也預計2008年切入60奈米堆疊式制程技術，將是國內首家切入60奈米制程的DRAM廠。
      茂德第三座12寸廠中科四廠昨天動土典禮，經濟部次長施顏祥、臺灣惠普董事長何薇玲、海力士研發部副總經理樸星昱等人共同主持動土。
      茂德中科四廠斥資25億美元，預計明年下半年完工、第四季移入機器設備開始量產。四廠未來將直接導入70奈米與60奈米堆疊式制程技術，總建置產能為4萬片。茂德中科廠為雙子星設計的兩座12寸晶圓廠，包括以90奈米切入量產的晶圓三廠，以及將以70奈米切入的晶圓四廠。
      陳民良說：“四廠在茂德技術動能推動上，扮演重大意義。”他強調，70奈米制程移轉自合作伙伴海力士（Hynix），但在2008年將推進到60奈米及50奈米制程。這是雙方共同研發技術制程開始，在DRAM產業具有領航意義。
      茂德規劃中科三廠產能建置分兩階段，階段規劃至今年底，產能將擴充到3萬片規模，以90奈米制程為主。第二階段制程技術將推進到70奈米，預計今年9月導入試產，屆時月產能由3萬片推升到4萬片，預定明年下半年完成。陳民良說，茂德批70奈米晶圓將于9月1日試產投片，快明年第二季70奈米即可在三廠量產。