該成果標志著PRAM（phase change RAM）進入了實用化前的“收官階段”——韓國三星電子日前發表了一項得到內存專家如此評價的成果（演講序號：15.1）。與以前著重改善存儲元件特性和提高集成容量不同，此項成果著重于抑制制造工藝中產生的存儲元件之間的特性差異。
      目標是復位電流及置位電阻的均勻化
       此次該公司面向數百Mbit級PRAM的實用化研究內容是，抑制存儲單元的存儲元件之間的差異，確保較大的讀取動作裕度。
       三星透露，PRAM的存儲元件之間容易產生特性差異的是：（1）復位動作時流過元件的電流（復位電流），（2）置位動作時元件的電阻（置位電阻）這兩者。其主要原因分別是：（1）相?淠ぃ?ST：GeSbTe）與下部電極（BEC：bottom electrode contact）的接觸面積的差異，（2）GST與BEC的界面中混入氧（O）原子而產生氧化現象。
       三星用下述方法抑制了256Mbit單元陣列的存儲元件間差異。其結果，確保了在置位狀態與復位狀態之間讀取時有足夠的2位數的電阻比，同時也實證了高達10的8次方的擦寫次數。
      消除相?淠び胂虜康緙?緱嬪系牟鉅
       （1）為了防止GST與BEC的接觸面積的差異，該公司改進了BEC的研磨（CMP：chemical mechanical polishing）工藝。二者的接觸面積差異，是在形成GST之前的研磨工藝中，由于元件之間構成BEC的芯的絕緣膜材料的切削深度不同而造成的。于是該公司用新材料取代了以前的絕緣膜材料，同時配合該材料對研磨條件進行了優化。由于實現了對元件間BEC芯的均一切削，結果成功地使復位電流能夠不隨元件改變而變化，大約穩定在450μA。
       （2）為了防止GST與BEC的界面中混入O原子，制作形成了覆蓋存儲元件的保護膜。由此，使置位電阻不隨元件改變而變化，大約穩定在5kΩ。該公司未公布保護膜的材料，但表示采用2種材料的堆疊結構時，防止O原子混入的效果較好。