該成果標(biāo)志著PRAM（phase change RAM）進(jìn)入了實(shí)用化前的“收官階段”——韓國三星電子日前發(fā)表了一項(xiàng)得到內(nèi)存專家如此評(píng)價(jià)的成果（演講序號(hào)：15.1）。與以前著重改善存儲(chǔ)元件特性和提高集成容量不同，此項(xiàng)成果著重于抑制制造工藝中產(chǎn)生的存儲(chǔ)元件之間的特性差異。
      目標(biāo)是復(fù)位電流及置位電阻的均勻化
       此次該公司面向數(shù)百M(fèi)bit級(jí)PRAM的實(shí)用化研究?jī)?nèi)容是，抑制存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)元件之間的差異，確保較大的讀取動(dòng)作裕度。
       三星透露，PRAM的存儲(chǔ)元件之間容易產(chǎn)生特性差異的是：（1）復(fù)位動(dòng)作時(shí)流過元件的電流（復(fù)位電流），（2）置位動(dòng)作時(shí)元件的電阻（置位電阻）這兩者。其主要原因分別是：（1）相?淠ぃ?ST：GeSbTe）與下部電極（BEC：bottom electrode contact）的接觸面積的差異，（2）GST與BEC的界面中混入氧（O）原子而產(chǎn)生氧化現(xiàn)象。
       三星用下述方法抑制了256Mbit單元陣列的存儲(chǔ)元件間差異。其結(jié)果，確保了在置位狀態(tài)與復(fù)位狀態(tài)之間讀取時(shí)有足夠的2位數(shù)的電阻比，同時(shí)也實(shí)證了高達(dá)10的8次方的擦寫次數(shù)。
      消除相?淠び胂虜康緙?緱嬪系牟鉅
       （1）為了防止GST與BEC的接觸面積的差異，該公司改進(jìn)了BEC的研磨（CMP：chemical mechanical polishing）工藝。二者的接觸面積差異，是在形成GST之前的研磨工藝中，由于元件之間構(gòu)成BEC的芯的絕緣膜材料的切削深度不同而造成的。于是該公司用新材料取代了以前的絕緣膜材料，同時(shí)配合該材料對(duì)研磨條件進(jìn)行了優(yōu)化。由于實(shí)現(xiàn)了對(duì)元件間BEC芯的均一切削，結(jié)果成功地使復(fù)位電流能夠不隨元件改變而變化，大約穩(wěn)定在450μA。
       （2）為了防止GST與BEC的界面中混入O原子，制作形成了覆蓋存儲(chǔ)元件的保護(hù)膜。由此，使置位電阻不隨元件改變而變化，大約穩(wěn)定在5kΩ。該公司未公布保護(hù)膜的材料，但表示采用2種材料的堆疊結(jié)構(gòu)時(shí)，防止O原子混入的效果較好。